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等效串聯晶振的負載電容計算公式

晶振內部電容約等於
NaN PF
晶振負載電容計算公式和說明
       晶振負載電容是分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容,一般在幾十PF。它會影響到晶振的諧振頻率和輸出幅度,一般客戶向芭乐app视频下载官网无限詢問晶振時芭乐app视频下载官网ioses都會問他們所需晶振的負載電容是多少。晶振上接的一個電阻是反饋作用,使振蕩器容易起振。
 
       晶振負載電容的取值直接關係到調頻的準確度。如果實際電路中負載電容值不夠準確,那麽買來的晶振準確度就會有偏差,關於負載電容的計算方法即從晶體兩端看進去電容的總和。
 
       計算公式:晶振的負載電容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C;式中Cd、Cg為分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容;Cic(集成電路內部電容);△C(PCB上電容)一般為3至5pf。
 
       1、匹配電容:負載電容是指晶振要正常震蕩所需要的電容。一般外接電容,是為了使晶振兩端的等效電容等於或接近負載電容。要求高的場合還要考慮ic輸入端的對地電容。一般晶振兩端所接電容是所要求的負載電容的兩倍。這樣並聯起來就接近負載電容了。
 
       2、負載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。它是一個測試條件,也是一個使用條件。應用時一般在給出負載電容值附近調整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負載諧振頻率和等效負載諧振電阻。
 
       3、一般情況下,增大負載電容會使振蕩頻率下降,而減小負載電容會使振蕩頻率升高。
 
       4、負載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內部及外部所有有效電容之和,可看作晶振片在電路中串接電容。負載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標稱頻率相同的晶振,負載電容不一定相同。因為石英晶體振蕩器有兩個諧振頻率,一個是串聯揩振晶振的低負載電容晶振:另一個為並聯揩振晶振的高負載電容晶振。所以,標稱頻率相同的晶振互換時還必須要求負載電容一至,不能冒然互換,否則會造成電器工作不正常。

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